غول صنعت تولید تراشههای حافظه نیمههادی از تولید اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E در جهان و با پهنای باند تا 1280 گیگابایت بر ثانیه خبر داد.
سامسونگ به عنوان یکی از بازیگرهای اصلی صنعت تولید تراشه اعلام کرده است که اولین تراشه HBM3E DRAM خود را توسعه داده است. این تراشه حافظه HBM بالاترین ظرفیت را تا به امروز در جهان داشته و این شرکت ادعا میکند که 50 درصد ظرفیت و عملکرد بالاتری نسبت به تراشههای حافظه HBM نسل قبل ارائه میدهد.
ادامه مطلب در ادامه
بیشتر بخوانید:
اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E
به گفته سامسونگ، تراشه HBM3E 12H پهنای باند تا 1280 گیگابایت بر ثانیه و ظرفیت تا 36 گیگابایت را ارائه میدهد. این 50 درصد بالاتر از تراشههای نسل فعلی HBM3 8H با هشت Stack است.
این تراشه از یک لایه پیشرفته تراکم حرارتی غیر رسانا (TC NCF) استفاده میکند که به محصولات 12 لایه اجازه میدهد ارتفاعی برابر با تراشههای 8 لایه HBM داشته باشند. این موضوع سازگاری را آسان میکند و انعطاف پذیری سازندگان سیستم را بهبود میبخشد. همچنین مزایای بیشتری را ارائه میکند، از جمله کاهش بستهبندی قالب تراشهای که همراه با قالب نازکتر است.
سامسونگ میگوید که تراشههای HBM3E کوچکترین فاصله را بین تراشهها دارند: 7 میکرومتر. این کار باعث از بین رفتن فضای خالی بین لایههای داخل تراشه میشود و تراکم عمودی را تا 20 درصد در مقایسه با تراشههای 8 لایه HBM3 افزایش میدهد.
فناوری جدید TC NCF سامسونگ با استفاده از برجستگیهایی با اندازههای مختلف بین تراشهها، حرارت درون تراشههای HBM را بهبود میبخشد. برجستگیهای کوچکتر در مناطقی برای سیگنال دهی استفاده میشود، در حالی که برجستگیهای بزرگتر در نقاطی که نیاز به اتلاف گرما دارند استفاده میشود. سامسونگ ادعا میکند که این روش باعث بهبود بازده محصول نیز میشود. این تراشهها را میتوان در سیستمهایی که به ظرفیت حافظه بالاتری نیاز دارند استفاده کرد.
شرکتهایی که از این تراشههای جدید استفاده میکنند میتوانند عملکرد و ظرفیت بالاتری داشته باشند و هزینه کل مالکیت در مراکز داده را کاهش دهند. هنگامی که برای برنامههای کاربردی هوش مصنوعی استفاده میشود، متوسط سرعت آموزش هوش مصنوعی میتواند 34٪ سریعتر تکمیل شود، در حالی که استفاده همزمان از خدمات میتواند 11.5 برابر افزایش یابد.
سامسونگ میگوید که ارسال نمونههایی از تراشههای HBM3E 12H خود را برای مشتریان آغاز کرده است و تولید انبوه آن در نیمه اول سال جاری آغاز خواهد شد.
Yongcheol Bae، معاون اجرایی برنامهریزی محصول حافظه در Samsung Electronics، گفت: «ارائهدهندگان خدمات هوش مصنوعی صنعت به طور فزایندهای به HBM با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و محصول جدید HBM3E 12H ما برای پاسخگویی به این نیاز طراحی شده است. این راه حل جدید حافظه بخشی از انگیزه ما به سمت توسعه فناوریهای اصلی برای HBM با Stack بالا و ارائه رهبری فناوری برای بازار HBM با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی است.
بیشتر بخوانید:
نظر شما در مورد اولین تراشه 36 گیگابایتی HBM3E سامسونگ چیست؟ نظرات خود را با ما به اشتراک گذاشته و اخبار فناوری را از مجله خبری آی تی و دیجیتال دنبال کنید.
.
منبع: sammobile
نظرات کاربران